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GD25D05CTIG

GD25D05CTIG

참조 용

부품 번호 GD25D05CTIG
PNEDA 부품 번호 GD25D05CTIG
설명 NOR FLASH
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GD25D05CTIG 리소스

브랜드 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GD25D05CTIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
GD25D05CTIG, GD25D05CTIG 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR 데이터 시트 표지
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  • GD25D05CTIG Distributor

GD25D05CTIG 사양

제조업체GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스SPI - Dual I/O
시계 주파수100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

800kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

700ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

AS4C4M32D1-5BCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

144-BGA

DS28E10P+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

224b (28 x 8)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.8V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

공급자 장치 패키지

6-TSOC

IDT71V424S15YI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

36-SOJ

IS42S16320B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-WBGA (11x13)

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