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GD25LD20CTIGR

GD25LD20CTIGR

참조 용

부품 번호 GD25LD20CTIGR
PNEDA 부품 번호 GD25LD20CTIGR
설명 NOR FLASH
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
단가 견적 요청
재고 있음 2,484
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GD25LD20CTIGR 리소스

브랜드 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GD25LD20CTIGR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
GD25LD20CTIGR, GD25LD20CTIGR 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR 데이터 시트 표지
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GD25LD20CTIGR 사양

제조업체GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스SPI - Dual I/O
시계 주파수50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지97µs, 6ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

AS4C64M16MD1-5BIN

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x10)

CY7C1069G-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

S25FL256SAGMFIG00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

N64S818HAT21I

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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