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GD25WD10CEIGR

GD25WD10CEIGR

참조 용

부품 번호 GD25WD10CEIGR
PNEDA 부품 번호 GD25WD10CEIGR
설명 NOR FLASH
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GD25WD10CEIGR 리소스

브랜드 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GD25WD10CEIGR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
GD25WD10CEIGR, GD25WD10CEIGR 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR 데이터 시트 표지
GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 2 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 3 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 4 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 5 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 6 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 7 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 8 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 9 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 10 GD25VE32CVIGR 데이터 시트 페이지 11

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  • GD25WD10CEIGR Distributor

GD25WD10CEIGR 사양

제조업체GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-USON (2x3)

관심을 가질만한 제품

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

제조업체

ABLIC U.S.A. Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

AT45DB021-RC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

AT49F040A-55JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

568.262.011

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206