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GDZ9V1B-HG3-18

GDZ9V1B-HG3-18

참조 용

부품 번호 GDZ9V1B-HG3-18
PNEDA 부품 번호 GDZ9V1B-HG3-18
설명 DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GDZ9V1B-HG3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GDZ9V1B-HG3-18
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
GDZ9V1B-HG3-18, GDZ9V1B-HG3-18 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 91.62 KB)
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  • GDZ9V1B-HG3-18 Distributor

GDZ9V1B-HG3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±2%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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8.2V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.07V

공차

±2.56%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2M

3EZ130D10E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

375 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

TFZVTR33B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SOD-323HE

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