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GP10G-M3/73

GP10G-M3/73

참조 용

부품 번호 GP10G-M3/73
PNEDA 부품 번호 GP10G-M3-73
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GP10G-M3/73 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GP10G-M3/73
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GP10G-M3/73, GP10G-M3/73 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 72.5 KB)
PDFGP10Y-M3/54 데이터 시트 표지
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GP10G-M3/73 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)3µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

R30680

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

BAS70W,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io)

70mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 70V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

작동 온도-접합

150°C (Max)

STPS30H100DJF-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

작동 온도-접합

150°C (Max)

CMS11(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

95pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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