GP2D030A060B
참조 용
| 부품 번호 | GP2D030A060B |
| PNEDA 부품 번호 | GP2D030A060B |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2 |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GP2D030A060B 리소스
| 브랜드 | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GP2D030A060B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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GP2D030A060B 사양
| 제조업체 | Global Power Technologies Group |
| 시리즈 | Amp+™ |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 30A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.65V @ 30A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 1581pF @ 1V, 1MHZ |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247-2 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 Amp+™ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 182A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 60A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 3809pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 680mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 SOD-123F 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 6500V 전류-평균 정류 (Io) 1070A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.9V @ 1200A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 6500V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 160°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1600V 전류-평균 정류 (Io) 85A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 85A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
