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GP30B-E3/73

GP30B-E3/73

참조 용

부품 번호 GP30B-E3/73
PNEDA 부품 번호 GP30B-E3-73
설명 DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,408
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GP30B-E3/73 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GP30B-E3/73
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GP30B-E3/73, GP30B-E3/73 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 82.06 KB)
PDFGP30MHE3/54 데이터 시트 표지
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  • GP30B-E3/73 Distributor

GP30B-E3/73 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)5µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.85V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

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VS-42HF160

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 125A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB (DO-5)

작동 온도-접합

-65°C ~ 160°C

R7221005ESOO

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

500A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.25V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AB, B-PUK

작동 온도-접합

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ON Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

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