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GS1JE-TP

GS1JE-TP

참조 용

부품 번호 GS1JE-TP
PNEDA 부품 번호 GS1JE-TP
설명 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
제조업체 Micro Commercial Co
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재고 있음 2,538
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GS1JE-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GS1JE-TP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GS1JE-TP, GS1JE-TP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 272.94 KB)
PDFGS1KE-TP 데이터 시트 표지
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GS1JE-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMAE)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-8EWS10S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAT54WS-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

125°C (Max)

CD214C-B340R

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

180pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

2-SMD

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

JANTX1N5811/TR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/477

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

B, Axial

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