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GS1R-LTP

GS1R-LTP

참조 용

부품 번호 GS1R-LTP
PNEDA 부품 번호 GS1R-LTP
설명 DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214AC
제조업체 Micro Commercial Co
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GS1R-LTP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GS1R-LTP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GS1R-LTP, GS1R-LTP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 243.51 KB)
PDFGS1R-LTP 데이터 시트 표지
GS1R-LTP 데이터 시트 페이지 2 GS1R-LTP 데이터 시트 페이지 3 GS1R-LTP 데이터 시트 페이지 4

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GS1R-LTP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1300V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1300V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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GeneSiC Semiconductor

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Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

150°C (Max)

SIDC23D120E6X1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

25A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 25A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

27µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-60APF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

180ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

IDK02G65C5XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 2A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

330µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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