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GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

참조 용

부품 번호 GSID150A120S3B1
PNEDA 부품 번호 GSID150A120S3B1
설명 SILICON IGBT MODULES
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GSID150A120S3B1 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GSID150A120S3B1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GSID150A120S3B1, GSID150A120S3B1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 272.2 KB)
PDFGSID150A120S3B1 데이터 시트 표지
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  • GSID150A120S3B1 Distributor

GSID150A120S3B1 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈Amp+™
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-3 Module
공급자 장치 패키지D3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

240W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

5100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGV100H60BTPG

Microsemi

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Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

구성

Boost Chopper, Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

APTGF50VDA60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Dual Boost Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FP10R12W1T4B29BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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