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GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

참조 용

부품 번호 GSID200A170S3B1
PNEDA 부품 번호 GSID200A170S3B1
설명 SILICON IGBT MODULES
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GSID200A170S3B1 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GSID200A170S3B1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GSID200A170S3B1, GSID200A170S3B1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 359 KB)
PDFGSID200A170S3B1 데이터 시트 표지
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  • GSID200A170S3B1 Distributor

GSID200A170S3B1 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈Amp+™
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대1630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce26nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-3 Module
공급자 장치 패키지D3

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

APT40GLQ120JCU2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

CM300DU-24F

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

120nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG7T100HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

APT75GN120JDQ3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

124A

전력-최대

379W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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