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GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

참조 용

부품 번호 GSID200A170S3B1
PNEDA 부품 번호 GSID200A170S3B1
설명 SILICON IGBT MODULES
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GSID200A170S3B1 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GSID200A170S3B1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GSID200A170S3B1, GSID200A170S3B1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 359 KB)
PDFGSID200A170S3B1 데이터 시트 표지
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  • GSID200A170S3B1 Distributor

GSID200A170S3B1 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈Amp+™
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대1630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce26nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-3 Module
공급자 장치 패키지D3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

340A

전력-최대

800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BSM35GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS450R17OE4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™+

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

630A

전력-최대

2400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT400DA120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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