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GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

참조 용

부품 번호 GT10J312(Q)
PNEDA 부품 번호 GT10J312-Q
설명 IGBT 600V 10A 60W TO220SM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GT10J312(Q) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GT10J312(Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
GT10J312(Q), GT10J312(Q) 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 509.49 KB)
PDFGT10J312(Q) 데이터 시트 표지
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  • GT10J312(Q) Distributor

GT10J312(Q) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전류-수집기 펄스 (Icm)20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
전력-최대60W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C400ns/400ns
테스트 조건300V, 10A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)200ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-220SM

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

468W

에너지 전환

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

129nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/148ns

테스트 조건

600V, 40A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

355ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

AUIRG4BC30S-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

400W

에너지 전환

4.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/350ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGL40N120ANTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/110ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

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Infineon Technologies

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

49A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

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에너지 전환

370µJ (on), 1.81mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/240ns

테스트 조건

480V, 27A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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