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GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

참조 용

부품 번호 GT8G133(TE12L,Q)
PNEDA 부품 번호 GT8G133-TE12L-Q
설명 IGBT 400V 600MW 8TSSOP
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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재고 있음 4,896
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GT8G133(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GT8G133(TE12L,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
GT8G133(TE12L, GT8G133(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 221.77 KB)
PDFGT8G133(TE12L 데이터 시트 표지
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  • GT8G133(TE12L,Q) Distributor

GT8G133(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 4V, 150A
전력-최대600mW
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C1.7µs/2µs
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

192W

에너지 전환

3.1mJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

86ns/235ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGP4066D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

454W

에너지 전환

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

155ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

APT40GP60SG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 352µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3 [S]

FGA4060ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

1.37mJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.8ns/54.4ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

26ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

FGH75T65SHDT-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

3mJ (on), 750µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

123nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/86ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

76ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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