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GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1-SMD

참조 용

부품 번호 GWM100-0085X1-SMD
PNEDA 부품 번호 GWM100-0085X1-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM100-0085X1-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM100-0085X1-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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GWM100-0085X1-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)103A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

198mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.25W

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

951pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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장착 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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