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GWM120-0075X1-SMDSAM

GWM120-0075X1-SMDSAM

참조 용

부품 번호 GWM120-0075X1-SMDSAM
PNEDA 부품 번호 GWM120-0075X1-SMDSAM
설명 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM120-0075X1-SMDSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM120-0075X1-SMDSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GWM120-0075X1-SMDSAM, GWM120-0075X1-SMDSAM 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 629.8 KB)
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GWM120-0075X1-SMDSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FDS6930A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ALD210814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

AOD661

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 12A, 10V, 22.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

15.6W, 31W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

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SH8K51GZETB

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2 N-Channel (Dual)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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