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GWM220-004P3-SL

GWM220-004P3-SL

참조 용

부품 번호 GWM220-004P3-SL
PNEDA 부품 번호 GWM220-004P3-SL
설명 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,402
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GWM220-004P3-SL 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM220-004P3-SL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GWM220-004P3-SL, GWM220-004P3-SL 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 208.94 KB)
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  • GWM220-004P3-SL Distributor

GWM220-004P3-SL 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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Vishay Siliconix

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 15V

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

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작동 온도

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