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H11A4S(TB)-V

H11A4S(TB)-V

참조 용

부품 번호 H11A4S(TB)-V
PNEDA 부품 번호 H11A4S-TB-V
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd
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재고 있음 4,662
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11A4S(TB)-V 리소스

브랜드 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A4S(TB)-V
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A4S(TB)-V, H11A4S(TB)-V 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,227.49 KB)
PDFH11A1M-V 데이터 시트 표지
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  • H11A4S(TB)-V Distributor

H11A4S(TB)-V 사양

제조업체Everlight Electronics Co Ltd
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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전류 전송 비율 (최소)

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전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

400ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

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Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

130% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

260% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

TLP291(V4GBTP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

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2

전압-절연

3000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

130% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

260% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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