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H11A5300W

H11A5300W

참조 용

부품 번호 H11A5300W
PNEDA 부품 번호 H11A5300W
설명 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11A5300W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A5300W
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A5300W, H11A5300W 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 210.41 KB)
PDF4N37M_F132 데이터 시트 표지
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H11A5300W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)30% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대)100mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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H11D2300W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

300V

전류-출력 / 채널

100mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

제조업체

CEL

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

PC3H7CJ0001B

Sharp Microelectronics

제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-Mini-Flat

TLP292-4(V4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

MOC206R1M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7.5µs, 5.7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.2µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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