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H11AG1TVM

H11AG1TVM

참조 용

부품 번호 H11AG1TVM
PNEDA 부품 번호 H11AG1TVM
설명 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,718
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11AG1TVM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11AG1TVM
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11AG1TVM, H11AG1TVM 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 406.02 KB)
PDFH11AG1SM 데이터 시트 표지
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H11AG1TVM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연4170Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

TLP385(BLL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads

공급자 장치 패키지

6-SO, 4 Lead

FOD2741CTV

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-MDIP

CNY171FM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

4170Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3.5µs (Max)

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

TLP293-4(E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

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패키지 / 케이스

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