H11B1M
참조 용
| 부품 번호 | H11B1M |
| PNEDA 부품 번호 | H11B1M |
| 설명 | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,486 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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H11B1M 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | H11B1M |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
| 데이터 시트 |
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H11B1M 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 4170Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | 500% @ 1mA |
| 전류 전송 비율 (최대) | - |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 25µs, 18µs |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Darlington with Base |
| 전압-출력 (최대) | 30V |
| 전류-출력 / 채널 | 150mA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.2V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 80mA |
| Vce 포화 (최대) | 1V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DIP |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반) 2µs, 3µs 입력 유형 AC, DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 80V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 300mV 작동 온도 -55°C ~ 110°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지 6-SO, 4 Lead |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 500% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대) 2600% @ 1.6mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) 200ns, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반) - 입력 유형 DC 출력 유형 Darlington with Base 전압-출력 (최대) 18V 전류-출력 / 채널 60mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 20mA Vce 포화 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
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