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H11B3M

H11B3M

참조 용

부품 번호 H11B3M
PNEDA 부품 번호 H11B3M
설명 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd
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재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11B3M 리소스

브랜드 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11B3M
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11B3M, H11B3M 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 713.95 KB)
PDFH11B3 데이터 시트 표지
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  • H11B3M Distributor

H11B3M 사양

제조업체Everlight Electronics Co Ltd
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)25µs, 18µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Darlington with Base
전압-출력 (최대)55V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Sharp Microelectronics

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

MOC8112S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

4.2µs, 23µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 14µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

90mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

MCT623SD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2.4µs, 2.4µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

30mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

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시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

21% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 25µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

MOSFET

전압-출력 (최대)

15V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

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