H11F2M
참조 용
| 부품 번호 | H11F2M |
| PNEDA 부품 번호 | H11F2M |
| 설명 | OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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H11F2M 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | H11F2M |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
| 데이터 시트 |
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H11F2M 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 7500Vpk |
| 전류 전송 비율 (최소) | - |
| 전류 전송 비율 (최대) | - |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 45µs, 45µs (Max) |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | MOSFET |
| 전압-출력 (최대) | 30V |
| 전류-출력 / 채널 | - |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.3V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 60mA |
| Vce 포화 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DIP |
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