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H11F3SM

H11F3SM

참조 용

부품 번호 H11F3SM
PNEDA 부품 번호 H11F3SM
설명 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11F3SM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11F3SM
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11F3SM, H11F3SM 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 432.27 KB)
PDFH11F2M 데이터 시트 표지
H11F2M 데이터 시트 페이지 2 H11F2M 데이터 시트 페이지 3 H11F2M 데이터 시트 페이지 4 H11F2M 데이터 시트 페이지 5 H11F2M 데이터 시트 페이지 6 H11F2M 데이터 시트 페이지 7 H11F2M 데이터 시트 페이지 8 H11F2M 데이터 시트 페이지 9 H11F2M 데이터 시트 페이지 10 H11F2M 데이터 시트 페이지 11

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H11F3SM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연7500Vpk
전류 전송 비율 (최소)-
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형MOSFET
전압-출력 (최대)15V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)-
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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CNW135S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

7% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

10mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

4N45

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

1000% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 150µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

MCT2200

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

60% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-, 1000µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

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50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

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4-SMD, Gull Wing

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