H11L3TVM
참조 용
| 부품 번호 | H11L3TVM |
| PNEDA 부품 번호 | H11L3TVM |
| 설명 | OPTOISO 4.17KV OPN COLL 6DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,740 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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H11L3TVM 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | H11L3TVM |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-논리 출력 |
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H11L3TVM 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 입력-사이드 1 / 사이드 2 | 1/0 |
| 전압-절연 | 4170Vrms |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Open Collector |
| 전류-출력 / 채널 | 50mA |
| 데이터 전송률 | 1MHz |
| 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) | 4µs, 4µs |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 100ns, 100ns |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.2V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 30mA |
| 전압-공급 | 3V ~ 15V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DIP |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 입력-사이드 1 / 사이드 2 1/0 전압-절연 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 20kV/µs 입력 유형 DC 출력 유형 Push-Pull, Totem Pole 전류-출력 / 채널 10mA 데이터 전송률 20MBd 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 40ns, 40ns 상승 / 하강 시간 (일반) 15ns, 15ns 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.61V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 25mA 전압-공급 2.7V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지 6-SO, 5 Lead |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 채널 수 1 입력-사이드 1 / 사이드 2 1/0 전압-절연 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 1kV/µs 입력 유형 DC 출력 유형 Open Collector, Schottky Clamped 전류-출력 / 채널 50mA 데이터 전송률 10MBd 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 100ns, 100ns 상승 / 하강 시간 (일반) 42ns, 12ns 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 10mA 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 8-DIP Gull Wing |
