H11N1TM
참조 용
| 부품 번호 | H11N1TM |
| PNEDA 부품 번호 | H11N1TM |
| 설명 | OPTOISO 4.17KV OPN COLL 6DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,550 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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H11N1TM 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | H11N1TM |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-논리 출력 |
| 데이터 시트 |
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H11N1TM 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 입력-사이드 1 / 사이드 2 | 1/0 |
| 전압-절연 | 4170Vrms |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Open Collector |
| 전류-출력 / 채널 | 50mA |
| 데이터 전송률 | 5MHz |
| 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) | 330ns, 330ns |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 7.5ns, 12ns |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.4V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 30mA |
| 전압-공급 | 4V ~ 15V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DIP |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 입력-사이드 1 / 사이드 2 1/0 전압-절연 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 15kV/µs 입력 유형 DC 출력 유형 Open Collector 전류-출력 / 채널 8mA 데이터 전송률 1Mbps 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 550ns, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반) - 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.61V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 25mA 전압-공급 4.5V ~ 30V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지 6-SO, 5 Lead |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 채널 수 2 입력-사이드 1 / 사이드 2 2/0 전압-절연 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 10kV/µs 입력 유형 DC 출력 유형 Open Collector, Schottky Clamped 전류-출력 / 채널 50mA 데이터 전송률 10MBd 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 100ns, 100ns 상승 / 하강 시간 (일반) 24ns, 10ns 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 15mA 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
