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HAT1126RWS-E

HAT1126RWS-E

참조 용

부품 번호 HAT1126RWS-E
PNEDA 부품 번호 HAT1126RWS-E
설명 MOSFET P-CH SOP8
제조업체 Renesas Electronics America
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재고 있음 4,464
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HAT1126RWS-E 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HAT1126RWS-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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HAT1126RWS-E 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs37nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2300pF @ 10V
전력-최대3W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 15V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMD84100

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

980pF @ 50V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power 3.3x5

NVMD6P02R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 16V

전력-최대

750mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

PMDPB56XNEAX

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 15V

전력-최대

485mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

전력-최대

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