HBAT-5400-TR2G
참조 용
| 부품 번호 | HBAT-5400-TR2G |
| PNEDA 부품 번호 | HBAT-5400-TR2G |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3 |
| 제조업체 | Broadcom |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,502 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HBAT-5400-TR2G 리소스
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HBAT-5400-TR2G 사양
| 제조업체 | Broadcom Limited |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 30V |
| 현재-최대 | 220mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 저항 @ If, F | - |
| 전력 손실 (최대) | 250mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 1 Pair Common Anode 전압-피크 역방향 (최대) 50V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 0.8pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F 600mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 130mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.75pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 15Ohm @ 5mA, 10kHz 전력 손실 (최대) 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 - 전압-피크 역방향 (최대) - 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F - 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 SOD-80 MiniMELF |
제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 50V 현재-최대 200mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.05pF @ 50V, 1MHz 저항 @ If, F 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 Chip |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 2 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대) 2V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 0.3pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
