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HBAT-5400-TR2G

HBAT-5400-TR2G

참조 용

부품 번호 HBAT-5400-TR2G
PNEDA 부품 번호 HBAT-5400-TR2G
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 2,502
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HBAT-5400-TR2G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HBAT-5400-TR2G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
HBAT-5400-TR2G, HBAT-5400-TR2G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 162.55 KB)
PDFHBAT-540C-TR1G 데이터 시트 표지
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HBAT-5400-TR2G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대220mA
커패시턴스 @ Vr, F-
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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커패시턴스 @ Vr, F

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저항 @ If, F

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전력 손실 (최대)

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작동 온도

-

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

200mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.05pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 10mA, 500MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

Chip

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Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3

HSMS-2827-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Bridge

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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