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HCNW135-500E

HCNW135-500E

참조 용

부품 번호 HCNW135-500E
PNEDA 부품 번호 HCNW135-500E
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD
제조업체 Broadcom
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HCNW135-500E 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HCNW135-500E
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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HCNW135-500E 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)5% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)20V
전류-출력 / 채널8mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.68V
전류-DC 순방향 (If) (최대)25mA
Vce 포화 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지8-SMD

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Vishay Semiconductor Opto Division

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1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

HMA121BR1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

TLP385(D4GR-TL,E

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads

공급자 장치 패키지

6-SO, 4 Lead

HCPL-257K

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

1500VDC

전류 전송 비율 (최소)

9% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

400ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7.5µs, 5.7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.2µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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