HER303G R0G
참조 용
부품 번호 | HER303G R0G |
PNEDA 부품 번호 | HER303G-R0G |
설명 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD |
제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 5,220 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HER303G R0G 리소스
브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | HER303G R0G |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HER303G R0G 사양
제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
시리즈 | - |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
전류-평균 정류 (Io) | 3A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 3A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 50ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
장착 유형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation 제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |