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HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

참조 용

부품 번호 HGT1S7N60C3DS
PNEDA 부품 번호 HGT1S7N60C3DS
설명 IGBT 600V 14A 60W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S7N60C3DS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S7N60C3DS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3DS 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 557.88 KB)
PDFHGTP7N60C3D 데이터 시트 표지
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  • HGT1S7N60C3DS Distributor

HGT1S7N60C3DS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
전력-최대60W
에너지 전환165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건480V, 7A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.55mJ (on), 1.55mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

285nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/315ns

테스트 조건

600V, 40A, 9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

400ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

IRGI4061DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.59V @ 15V, 11A

전력-최대

43W

에너지 전환

52µJ (on), 231µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/111ns

테스트 조건

400V, 11A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGH30N60LSDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IGC27T120T8LX1SA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

73nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/350ns

테스트 조건

800V, 20A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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