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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

참조 용

부품 번호 HGTD1N120BNS9A
PNEDA 부품 번호 HGTD1N120BNS9A
설명 IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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HGTD1N120BNS9A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTD1N120BNS9A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTD1N120BNS9A, HGTD1N120BNS9A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 217.31 KB)
PDFHGTD1N120BNS9A 데이터 시트 표지
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  • HGTD1N120BNS9A Distributor

HGTD1N120BNS9A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)5.3A
전류-수집기 펄스 (Icm)6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 1A
전력-최대60W
에너지 전환70µJ (on), 90µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/67ns
테스트 조건960V, 1A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG4PC30KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

58A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

600µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IXGP8N100

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 8A

전력-최대

54W

에너지 전환

2.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

26.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/600ns

테스트 조건

800V, 8A, 120Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IXBF42N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

380A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

전력-최대

240W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/445ns

테스트 조건

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-4, Isolated

공급자 장치 패키지

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전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

전력-최대

88W

에너지 전환

56µJ (on), 78.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

400V, 5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

134.5ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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AN7706SP-E1

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