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HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

참조 용

부품 번호 HGTG11N120CND
PNEDA 부품 번호 HGTG11N120CND
설명 IGBT 1200V 43A 298W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTG11N120CND 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTG11N120CND
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTG11N120CND, HGTG11N120CND 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 229.9 KB)
PDFHGTG11N120CND 데이터 시트 표지
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HGTG11N120CND 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)43A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 11A
전력-최대298W
에너지 전환950µJ (on), 1.3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/180ns
테스트 조건960V, 11A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)70ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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STMicroelectronics

시리즈

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

626µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

306nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/160ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGP4063D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

전력-최대

330W

에너지 전환

625µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/145ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

115ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IXBH12N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

STGWT20H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

209µJ (on), 261µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

510A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1075A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

전력-최대

2300W

에너지 전환

3.35mJ (on), 1.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

438nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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