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HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

참조 용

부품 번호 HGTP7N60B3D
PNEDA 부품 번호 HGTP7N60B3D
설명 IGBT 600V 14A 60W TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,930
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTP7N60B3D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTP7N60B3D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTP7N60B3D, HGTP7N60B3D 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 497.15 KB)
PDFHGTP7N60B3D 데이터 시트 표지
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HGTP7N60B3D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 7A
전력-최대60W
에너지 전환160µJ (on), 120µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C26ns/130ns
테스트 조건480V, 7A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 20A

전력-최대

223W

에너지 전환

2.5mJ (on), 760µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/175ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

425ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT85GR120B2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전류-수집기 펄스 (Icm)

340A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

전력-최대

962W

에너지 전환

6mJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

660nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/300ns

테스트 조건

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

T-MAX™

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGA5065ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.35mJ (on), 309µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/62.4ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

SGW20N60HSFKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

전력-최대

178W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/207ns

테스트 조건

400V, 20A, 16Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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