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HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

참조 용

부품 번호 HGTP7N60C3D
PNEDA 부품 번호 HGTP7N60C3D
설명 IGBT 600V 14A 60W TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,192
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTP7N60C3D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTP7N60C3D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTP7N60C3D, HGTP7N60C3D 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 557.88 KB)
PDFHGTP7N60C3D 데이터 시트 표지
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  • HGTP7N60C3D Distributor

HGTP7N60C3D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
전력-최대60W
에너지 전환165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건480V, 7A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

전력-최대

88W

에너지 전환

200µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/130ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

123ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263

IRGP50B60PD1-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

전력-최대

390W

에너지 전환

255µJ (on), 375µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

205nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/130ns

테스트 조건

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGP40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

NGTD23T120F2SWK

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

103nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.6µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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