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HIP2106AIRZ-T

HIP2106AIRZ-T

참조 용

부품 번호 HIP2106AIRZ-T
PNEDA 부품 번호 HIP2106AIRZ-T
설명 SYNCH RECT BUCK MOSFET
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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HIP2106AIRZ-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP2106AIRZ-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP2106AIRZ-T, HIP2106AIRZ-T 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 986.33 KB)
PDFHIP2106AIRZ 데이터 시트 표지
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  • HIP2106AIRZ-T Distributor

HIP2106AIRZ-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH1.3V, 1.9V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-, 4A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지10-DFN (3x3)

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제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IXDN502D1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (4x5)

2SC0535T2A1-33

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

35A, 35A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

3300V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

ADP3634ARHZ

Analog Devices

제조업체

Analog Devices Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

ISL6594DCRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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