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HIP2121FRTAZ-T

HIP2121FRTAZ-T

참조 용

부품 번호 HIP2121FRTAZ-T
PNEDA 부품 번호 HIP2121FRTAZ-T
설명 IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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HIP2121FRTAZ-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP2121FRTAZ-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP2121FRTAZ-T, HIP2121FRTAZ-T 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 781.47 KB)
PDFHIP2121FRTBZ-T 데이터 시트 표지
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  • HIP2121FRTAZ-T Distributor

HIP2121FRTAZ-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH1.4V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)114V
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지10-TDFN (4x4)

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제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

TC4424VOE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

2SP0115T2B0-12

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

8A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 10ns

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IR2010SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

UCC27424DRG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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