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HIP4080AIPZ

HIP4080AIPZ

참조 용

부품 번호 HIP4080AIPZ
PNEDA 부품 번호 HIP4080AIPZ
설명 IC DRIVER FET FULL BRIDGE 20DIP
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HIP4080AIPZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP4080AIPZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP4080AIPZ, HIP4080AIPZ 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 902.89 KB)
PDFHIP4080AIBT 데이터 시트 표지
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HIP4080AIPZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급9.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.6A, 2.4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)95V
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스20-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지20-PDIP

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Vishay Siliconix

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.5V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

900mA, 1.1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

50V

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 36ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IXDD609D2TR

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

22ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x4)

TC4426AVPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IRS2509C

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

RT7020GS

Richtek USA Inc.

제조업체

Richtek USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

300mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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