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HIP6601BECBZ

HIP6601BECBZ

참조 용

부품 번호 HIP6601BECBZ
PNEDA 부품 번호 HIP6601BECBZ
설명 IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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HIP6601BECBZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP6601BECBZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP6601BECBZ, HIP6601BECBZ 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 732.6 KB)
PDFHIP6604BCRZ-T 데이터 시트 표지
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HIP6601BECBZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10.8V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)15V
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP

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Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

33ns, 27ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-CERDIP

L6384ED013TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

14.6V ~ 16.6V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-45°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

LTC4442EMS8E-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 9.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.4A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

42V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

MAX5075AAUA-T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-uMax-EP

UCC27710DR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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