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HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

참조 용

부품 번호 HN1B01FU-Y(L,F,T)
PNEDA 부품 번호 HN1B01FU-Y-L-F-T
설명 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,266
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN1B01FU-Y(L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1B01FU-Y(L,F,T)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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HN1B01FU-Y(L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력-최대200mW
주파수-전환120MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN, PNP Darlington (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 5V

전력-최대

2.75W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

ZXT12P12DXTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

270mV @ 30mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1.04W

주파수-전환

85MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 150mA, 10V

전력-최대

300mW

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작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

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150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

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