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HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

참조 용

부품 번호 HN1B04FU-Y,LF
PNEDA 부품 번호 HN1B04FU-Y-LF
설명 X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN1B04FU-Y 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1B04FU-Y,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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HN1B04FU-Y 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력-최대200mW
주파수-전환150MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300nA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

전력-최대

385mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

ZDT690TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 1A, 2V

전력-최대

2.75W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

XN0553100L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 5mA, 4V

전력-최대

200mW

주파수-전환

2.5GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

MINI6-G1

BC858CDW1T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

100MHz

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