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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

참조 용

부품 번호 HN1B04FU-Y(T5L,F,T
PNEDA 부품 번호 HN1B04FU-Y-T5L-F-T
설명 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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HN1B04FU-Y(T5L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1B04FU-Y(T5L,F,T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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HN1B04FU-Y(T5L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력-최대200mW
주파수-전환150MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 4V

전력-최대

4W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Formed Leads

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제조업체

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

180MHz, 140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V

전력-최대

125mW

주파수-전환

150MHz, 80MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

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