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HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

참조 용

부품 번호 HN1C03FU-A(TE85L,F
PNEDA 부품 번호 HN1C03FU-A-TE85L-F
설명 TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN1C03FU-A(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1C03FU-A(TE85L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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HN1C03FU-A(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 4mA, 2V
전력-최대200mW
주파수-전환30MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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2 NPN (Dual)

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45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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시리즈

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

2.27W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz, 250MHz

작동 온도

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Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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