HN2C01FEYTE85LF
참조 용
| 부품 번호 | HN2C01FEYTE85LF |
| PNEDA 부품 번호 | HN2C01FEYTE85LF |
| 설명 | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,022 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HN2C01FEYTE85LF 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HN2C01FEYTE85LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 |
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HN2C01FEYTE85LF 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 150mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| 전력-최대 | 100mW |
| 주파수-전환 | 60MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 - 트랜지스터 유형 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대) 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SO |
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