HN3C10FUTE85LF
참조 용
| 부품 번호 | HN3C10FUTE85LF |
| PNEDA 부품 번호 | HN3C10FUTE85LF |
| 설명 | RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HN3C10FUTE85LF 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HN3C10FUTE85LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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HN3C10FUTE85LF 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 12V |
| 주파수-전환 | 7GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| 이득 | 11.5dB |
| 전력-최대 | 200mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 80mA |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | US6 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득 - 전력-최대 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 25mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323-3 |
