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HS1GL R3G

HS1GL R3G

참조 용

부품 번호 HS1GL R3G
PNEDA 부품 번호 HS1GL-R3G
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HS1GL R3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HS1GL R3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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HS1GL R3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

관심을 가질만한 제품

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1006 Metric)

공급자 장치 패키지

DFN1006-2L

작동 온도-접합

125°C

1N4007GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

BYV29FX-600,127

WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

TO-220FP

작동 온도-접합

150°C (Max)

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1800V

전류-평균 정류 (Io)

560A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30mA @ 1800V

커패시턴스 @ Vr, F

762pF @ 400V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y1-CU

공급자 장치 패키지

Y1-CU

작동 온도-접합

-

BAS4002S02LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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