HS1M M2G
참조 용
| 부품 번호 | HS1M M2G |
| PNEDA 부품 번호 | HS1M-M2G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1A DO214AC |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HS1M M2G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HS1M M2G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HS1M M2G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | - |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 75ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AC (SMA) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 27A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 12A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 420V 커패시턴스 @ Vr, F 594pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
