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HSM550GE3/TR13

HSM550GE3/TR13

참조 용

부품 번호 HSM550GE3/TR13
PNEDA 부품 번호 HSM550GE3-TR13
설명 DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO215AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSM550GE3/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSM550GE3/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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HSM550GE3/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If650mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr250µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-215AB, SMC Gull Wing
공급자 장치 패키지DO-215AB
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

21mA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2500V

전류-평균 정류 (Io)

400A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 2500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

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B-8

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

365mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 220A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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