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HSMS-280E-TR2G

HSMS-280E-TR2G

참조 용

부품 번호 HSMS-280E-TR2G
PNEDA 부품 번호 HSMS-280E-TR2G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-280E-TR2G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-280E-TR2G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-280E-TR2G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대)70V
현재-최대1A
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F35Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

200mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4Ohm @ 10mA, 500MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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패키지 / 케이스

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Skyworks Solutions Inc.

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

200mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.1pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 500MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

240mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BAT17E6327HTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BA 595 B6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 10V, 1MHz

저항 @ If, F

7Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

PG-SOD323-2

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