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HSMS-281C-TR2G

HSMS-281C-TR2G

참조 용

부품 번호 HSMS-281C-TR2G
PNEDA 부품 번호 HSMS-281C-TR2G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 3,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-281C-TR2G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-281C-TR2G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-281C-TR2G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)20V
현재-최대1A
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F15Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143-4

BAT1503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

PG-SOD323-2

HSMS-270P-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Bridge

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

750mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BAT17,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

30mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1kHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

100°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

RN731VFHTE-17

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 35V, 1MHz

저항 @ If, F

7Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

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