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HSMS-281E-TR1G

HSMS-281E-TR1G

참조 용

부품 번호 HSMS-281E-TR1G
PNEDA 부품 번호 HSMS-281E-TR1G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-281E-TR1G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-281E-TR1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-281E-TR1G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대)20V
현재-최대1A
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F15Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

RN142ZS8ATE61

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 4 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.45pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

HMD8

공급자 장치 패키지

8-HMD (1.6x0.8)

HSMP-3822-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

QSMS-8202-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Pair CA + CC

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

125mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

5-TSOP

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